Быстродействующий органический транзистор – это реально, надо только немного времени для полной его разработки…

Объединенный  коллектив, имеющий в своем составе ученых мужей  из университетов  Небраски и Стэнфорда, создал по своей сути уникальные  на сегодня так называемые тонкопленочные органические транзисторы. Они к тому же, являются самыми быстрыми транзисторами в мире.

 

.

 

Технология, о которой идет речь  на данный момент,  находится в стадии эксперимента, и является непосредственным доказательством той теории, которая доказывала что у полупроводниковых приборов, созданных из органических материалов,  есть огромный потенциал. Прежде всего, это потенциал  для эффективной работы на различных скоростях, которые необходимы для качественной работы экранов, которые имеют высокую разрешающую способность, и других электронных устройств такого плана.

Что касается данной темы, то многие ученые из всего мира уже на протяжении нескольких лет  пробуют использовать молекулы которые богатые на углерод и полимеры, для  создания не очень дорогих приборов на основе полупроводников.  Все эти приборы должны выполнять свои электронные функции на различных скоростях. Причем их  скорости  должны,  непременно приблизится к скоростям, на которых работают более дорогие изделия, с кремниевой основой.

Но, не смотря на значительные усилия мужей от науки, пока что значительных результатов не получилось, а изготовленные   в ходе эксперимента транзисторы их органики не обладают нужными качествами, а наоборот имеют отрицательные показатели и характеристики. То есть они  могут функционировать или слишком медленно, или имеют достаточно большой  разнос параметров и значений. Поэтому говорить о практическом их применении не приходится.

Группа исследователей, о которой говорилось выше,  возглавляемая  Зэнэном  Бао,  профессором химии и машиностроения из Стэндфордского университета, а также доцентом   Джинсонга  Хуаня из   UNL,   добилась определенных успехов в  создании органических  транзисторов, которые могут работать как минимум в несколько раз быстрее, чем самые быстрые образцы   аналогичных транзисторов созданных до них.  Все полученные  в ходе исследований результаты, носят пока что предварительный характер, так как характеристики их  отличаются от образца к образцу.

Следует заметить, что новая технология разработанная  учеными имеет как минимум два особенных отличия от традиционных применяемых технологий. Первое что сделали ученые, то они сильно увеличили скорость вращения самой подложки. Вторым шагом стало покрытие органикой не всей  поверхности подложки, а только незначительная ее часть. Эти новшества и другие условия технологического процесса дали возможность получения тонкой пленки,  которая имеет высокую концентрацию и упорядочивание самих  молекул.

В итоге применения  такой технологии,  получившийся материал смог продемонстрировать более высокую  подвижность соответственных носителей заряда.  Именно это и повлияло на быстроту  функционирования полупроводниковых транзисторов.